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目前，进入罗姆在日本共拥有3个SiC基功率半导体生产基地，除国富工厂外，其余2个SiC工厂分别位于福冈、宫崎。在2023年4月，天截天涉罗姆公司开始量产650V耐压产品，并在近日推出了2款650VEcoGaN新品。
至昨罗姆的目标是到2025财年碳化硅功率半导体收入达到1000亿日元（超过47亿元人民币）。罗姆早在2006年就开始研发GaN相关产品，鲁职并在2021年推出了150VGaN器件技术。据悉，位报罗姆于今年7月透过子公司Lapis半导体，与SolarFrontier达成基本协议，收购其国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂。
在今后的发展中，报名罗姆将继续改进驱动技术和控制技术，并计划在2024年推出一系列新的产品。除了碳化硅，进入罗姆也在发力氮化镓技术
在2023年4月，天截天涉罗姆公司开始量产650V耐压产品，并在近日推出了2款650VEcoGaN新品。
据悉，至昨罗姆于今年7月透过子公司Lapis半导体，与SolarFrontier达成基本协议，收购其国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂。IGBT不仅是国产功率半导体企业的布局重心，鲁职也是车厂与半导体大厂强强联手的破局点。
作为汽车电气化变革的关键制程，位报IGBT产品在智能汽车中具有不可替代的作用。而直流桩则叫快充桩，报名与交流电网连接，输出可调直流电，直接为电动汽车的动力电池充电，且充电速度较快。
举例来看，进入到2030年，进入如果有3500万电动车使用SiC，那么这一制造年生产出的新能源汽车总计在它们的使用期限中节约了的能源相当于节省1.92亿桶油，相当于节省82亿美元电力成本。天截天涉IGBT组件数量随新能源汽车的动力性能提升而增加。
